據(jù)悉，西安交通大學材料科學與工程學院先進陶瓷研究所博士生戴培赟在楊建鋒教授指導下用物理氣相傳輸法成功制備出多晶致密碳化硅陶瓷材料，首次在不需添加燒結(jié)助劑的條件下獲得了接近理論密度的純碳化硅塊體陶瓷材料，標志著西安交大在陶瓷研究方面獲得重要進展。

　　物理氣相傳輸法(HTPVT)是制備單晶碳化硅的常用方法，在材料學院碳化硅單晶材料研究的基礎上，戴培赟在研究工作中進行了不同原料密度和燒結(jié)工藝的對比試驗，建立了碳化硅多晶陶瓷的生長模型，并從熱力學和動力學角度解釋了碳化硅多晶生長的原理。此方法完全不同于現(xiàn)有的碳化硅陶瓷的制備工藝，獲得的材料具有優(yōu)異的性能，在軍工、電子、機械等行業(yè)具有良好的應用前景，此技術已申請國家發(fā)明專利。

　　目前，戴培赟作為第一作者完成的《Fabrication of highly dense pure SiC ceramics via the HTPVT method》論文已被材料科學領域的國際權威雜志《Acta Materialia》接收，并準備發(fā)表。

　　該研究受到國家基金委項目、教育部博士點基金項目支持。